IBM и Samsung объявили о новой разработке в области полупроводникового дизайна, которая, как они сообщают, значительно увеличит срок службы батареи телефона.
Открытие компаний называется VTFET и представляет собой новый подход к размещению транзисторов: вертикально, а не горизонтально.
Не вдаваясь в подробности распределения энергии, смартфон по такому дизайну обладает потенциалом для снижения энергопотребления на 85%, а значит, гаджет сможет работать больше недели без подзарядки.